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Gallium arsenide single crystal(°¥·ýºñ¼Ò´Ü°áÁ¤)
Gallium arsenide single crystal
ÈÇÐ½Ä : GaAs, ºÐÀÚ·® 144.64
¼º»ó : ÀÔ¹æ °áÁ¤, ¿Ü°üÀº ±Ý¼Ó¼º ±¤Ã¤¸¦ ¶í ÁøÇÑ È¸»ö, À¶Á¡ 1238¡É, °æµµ 4.5, ¿ÆØâ°è¼ö 5.9¡¿10-6, ¿ÀüµµÀ²(W/cm¡¤deg)0.52, ¹Ðµµ(D425) 5.31
¿ëµµ : GaAsÀÇ ¿ëµµ´Â ´Ù¾çÇÏ¿© ÁÖ·Î LED(Light Emission Diode), GaAs IC, FET(Field Effect Transistor)µî ÀÌ¿Ü¿¡ LD·¹ÀÌÁ®, Hall sensor ¼ÒÀÚ µî¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ°í, Ãֱ٠žçÀüÁö °³¹ß¿¡ ±× ÀÀ¿ëÀÌ ±â´ëµÇ°í ÀÖ´Ù.
Á¦¹ý : ¨ç HB¹ý(Horizontal Bridgeman Process) : 1960³â´ë¿¡ °³¹ßµÈ GaAs ´Ü°áÁ¤ À°¼º¹ýÀ¸·Î Ga¿Í As¸¦ ´ãÀº ¼®¿µ boat¸¦ ¼®¿µ°ü³»¿¡ Áø°ø ºÀÀÔÇÑ ÈÄ ¼öÆòÀ¸·Î ¼³Ä¡ÇÏ¿© ¿ëÇؽÃŲ´Ù. ±× ´ÙÀ½ GaAsÀÇ Á¾°áÁ¤À» ¿ë¾×¿¡ ºÎÂø½ÃŲ ÈÄ AsÁõ±â ºÐÀ§±â¿¡¼ °áÁ¤À» À°¼º½ÃŲ´Ù. ÀÌ ¶§ ½Â¿ÂžÀ» ¿òÁ÷¿©¼ Á¾°áÁ¤ºÎÅÍ ¼¼È÷ ¿Âµµ¸¦ ÀúÇϽÃÄÑ ´Ü°áÁ¤À» À°¼ºÇÑ´Ù.
¨è LEC¹ý(Liquid Encapsulation Czochralski Process) : IC¿ë GaAs °áÁ¤À°¼º¹ýÀ¸·Î ÃÖ±Ù¿¡ ÁÖ¸ñ¹Þ°í ÀÖ´Â ¹æ¹ýÀ¸·Î AsÀÇ Áõ±â¾ÐÀÌ ³ô±â ¶§¹®¿¡ ¾×»óÀÇ »êȺؼÒ(B2O3)·Î GaAs ¿ë¾×À» ºÀÁöÇÏ°í ºÒÈ°¼º°¡½º·Î °¡¾ÐÇÏ¿© °áÁ¤À» ÀλóÇÑ´Ù.
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